大日本网屏与岐阜大学解析薄膜硅型太阳能电池
2010年06月24日 15:24 4945次浏览 来源： 国际新能源网 分类： 稀土
大日本网屏制造与岐阜大学开发出了能够以非破坏性方式，对构成薄膜硅型太阳能电池的非晶硅膜薄膜特性进行解析的技术。将在2010年秋季作为大日本网屏制造的分光Ellipso式膜厚测定装置“RE-8000”系列的选配功能实际应用。双方从2008年11月就开始共同开发薄膜硅型太阳能电池评测技术。
薄膜硅型太阳能电池大多重叠非晶硅膜和微晶硅膜后使用。其中，非晶硅膜存在的课题是照射光线后会劣化，从而导致光电转换效率降低。光劣化的原因是在非晶硅膜成膜时导入的过量氢。在制造薄膜硅型太阳能电池时，一直对以非破坏性方式来分析氢含量从而控制光劣化的技术存在需求。
大日本网屏制造与岐阜大学开发出了测定SiH和SiH2等，从而可以掌握氢含量及其分布的技术。测定中采用了现有分光Ellipso式膜厚测定装置的硬件。向现有的膜厚测定装置中导入软件，便可以在测定膜厚的同时分析氢含量。另外，用于氢含量分析的追加费用等尚未确定。
大日本网屏制造将在2010年6月30日～7月2日于太平洋横滨会展中心举行的太阳能电池展会“PVJapan2010”上，利用展板展示配备了此次技术的分光Ellipso式膜厚测定装置。
责任编辑：彭薇
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