1.1毫米8英寸硅基氮化镓LED芯片问世
2012年05月23日 10:1 6672次浏览 来源： 国半导体照明网 分类： 新技术
近日，普瑞光电公司与东芝公司宣布，两家公司共同研发出了行业顶级8英寸硅基氮化镓LED芯片。该芯片仅1.1毫米，在电压低于3.1V电流350mA时发射功率达 614mW。
面对全球液晶面板和照明系统对LED芯片日益增长的需求，普瑞光电与东芝公司将进一步加快在这一领域的研发步伐。
“东芝公司和普瑞光电早已在这项技术研发方面展开合作，此次注资使两家公司建立为更具有战略性的合作伙伴关系，将推动我们实现降低普通照明市场固态解决方案成本的共同目标。” 普瑞光电公司首席执行官Bill Watkins 表示。
“我们很高兴通过我们与普瑞光电公司的研发合作获得了前所未有的8英寸硅基氮化镓LED性能。我们将继续进行更先进的开发，并加速把我们的技术商品化。”东芝公司半导体和存储产品公司副总裁兼执行副总裁Makoto Hideshima表示。
责任编辑：安子
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